技术编号:13687146
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本发明构思涉及半导体器件。
背景技术
多栅极晶体管可被用作用于增加半导体器件的密度的小型化技术之一。多栅极晶体管可以通过在基底上形成鳍状硅体并且在硅体的表面上形成栅极来获得。
因为多栅极晶体管使用三维(3D)沟道,所以多栅极晶体管可被小型化。此外,能够在不需要增加多栅极晶体管的栅极长度的情况下改善多栅极晶体管的电流控制能力。此外,能够有效抑制在多栅极晶体管中沟道区的电位被漏极电压影响的短沟道效应(SCE)。
发明内容注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。