技术编号:13689553
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及掺杂半导体组件的生产,特别是通过硅晶片的掺杂而形成的半导体组件,诸如光伏电池。
背景技术
这个工艺,例如,如例如US 6548378B1或US 2012/0083105A1中所述通常使用硼的硅晶片的P型掺杂,通常在扩散炉中进行,该扩散炉可实现为,例如水平或垂直炉。晶片沉积在炉内的支撑体上,该支撑体通常称为“晶舟”且通常由SiO2或SiC制成,载气(例如,N2或Ar)、掺杂剂(例如,液体BBr3注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。