技术编号：13689555
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于制造包括用于俘获电荷的层的半导体元件的工艺。
背景技术
集成装置通常在晶圆形式的基板上被制备，晶圆在集成装置的制造中主要充当支撑。然而，集成程度和对于这些装置期望的性能的提高导致装置的性能与在上面形成装置的基板的特性之间越来越显著的耦合。特别对射频(RF)装置来说情况就是这样，所述RF装置处理频率在近似3kHz至300GHz之间的信号，并且特别在远程通信(电话、Wi-Fi、蓝牙等)领域中具有应用。
作为装置/基板耦合的示例，因在装置中传...
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