技术编号：13697347
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及半导体装置的制造，且特别是涉及具有上覆柵极结构的基板电阻器。背景技术先进集成电路(例如CPU、储存装置、ASIC(特殊应用集成电路)等等)的制造需要依据特定电路布局而在给定芯片面积中形成大量电路元件。场效晶体管(NMOS及PMOS晶体管)代表实质决定此种集成电路的效能的一种重要类型的电路元件。在使用MOS技术制造复杂的集成电路的期间，数百万的晶体管(例如NMOS晶体管及\/或PMOS晶体管)形成在包含结晶半导体层的基板上。场效晶体管(无论是NMOS或PMOS装置)一般包含源...
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