技术编号:13708490
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体光电材料技术领域,具体涉及一种BeZnOS化合物半导体材料、其制备方法及应用。背景技术第三代宽禁带半导体ZnO具有3.3eV的禁带宽度、60meV的激子束缚能,在蓝光、紫外光发光及光电探测等方面有潜在的广泛用途。为实现器件应用,往往需要对ZnO进行取代掺杂,以调节其能带。如用Be部分取代Zn得到BeZnO三元化合物可获得更宽的禁带。BeZnO是由ZnO与BeO按一定组分比例固溶而成,BeO与ZnO同为六方结构,BeO禁带宽度(10.8eV)远远大于ZnO,因此只需要在Zn...
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