技术编号:13730120
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及计算机芯片读取优化领域,尤其涉及一种提高混合存储器随机读性能的方法。背景技术以NAND闪存做存储介质混合而成的NAND混合存储器如图1所示,第一级单层单元型NAND芯片(SLC),第二级为双层单元型NAND芯片(MLC),第三级为三层单元型NAND芯片(TLC)依次类推和最后一级3D-NAND型芯片,这几种类型的芯片由存储控制器控制对其进行读写操作以及执行一些特定算法,比如数据管理,磨损均衡等。如果在NAND混合存储器中,系统在一段时间内对3D-NAND中的某一个数据块(blo...
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