技术编号：13737768
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。此专利文件中所阐述的技术一般来说涉及静态随机存取存储器SRAM装置，且更具体地说，涉及位线预充电电路及对SRAM装置中的位线预充电的方法。
背景技术
静态随机存取存储器(SRAM)通常用于电子装置。SRAM单元具有在不需要再新的情况下保存数据的有利构件。SRAM单元可包含不同数目个晶体管，且因此通常由晶体管的数目指代(例如，六晶体管(6T)SRAM、八晶体管(8T)SRAM及诸如此类)。晶体管通常形成用于存储数据位的数据锁存器。可添加额外晶体管以控制对晶体管的存取。...
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