技术编号：13742098
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电容器及其制造方法。
背景技术
近年来，随着电子设备的高密度安装化，需要具有更高静电电容的电容器。作为这种电容器，例如在非专利文献1中公开了一种对由纳米碳管构成的多孔体使用原子层沉积法(ALD法：Atomic Layer Deposition)、且形成Al2O3层作为介电层、形成有TiN层作为上部电极的电容器。此外，在专利文献1中公开有一种在由阀作用金属构成的多孔质片材体的表面具有介电氧化皮膜、在介电氧化皮膜...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。