技术编号：13742836
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于晶体管技术领域，具体涉及隧穿场效应晶体管及其制备方法。背景技术随着半导体器件特征尺寸的进一步等比例缩小，传统的半导体器件将达到尺寸的极限。为进一步提高器件的性能，技术人员开始对新结构，新材料，新工艺进行积极的探索。隧穿场效应晶体管(TFET，TunnelingField-EffectTransistor)采用带带隧穿(BTBT)新导通机制，是一种非常有发展潜力的适于系统集成应用发展的新型低功耗器件。TFET通过栅电极控制源端与沟道交界面处隧穿结的隧穿宽度，使得源端价带电子隧穿到...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。