技术编号：13744741
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件，尤其是一种抗闩锁IGBT器件，属于IGBT器件的技术领域。
背景技术
IGBT器件内存在寄生的晶闸管，即NPNP结构。在器件正常工作的过程中，不希望开通所述寄生的晶闸管。若所述寄生晶闸管处于开通状态，那么IGBT器件的栅极将失去对电流的控制。然而，在IGBT工作过程中，如果流过源极下方的空穴电流太大，那么源极和基区的PN结就会正偏，即源极开始向基区注入电子，基区开始向源极注入空穴，此时寄生的晶闸管导通，即IGBT器件处于闩锁状态。
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