技术编号:13744747
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
背景技术
在目前的半导体产业中,集成电路产品主要可分为三大类型:模拟电路、数字电路和数\/模混合电路,其中存储器件是数字电路中的一个重要类型。近年来,在存储器件中,闪存(flashmemory)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息,因此被广泛应用于各种急需要存储的数据不会因电源中断而消失,有需要重复读写数据的存储器。而且,闪存具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优...
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