技术编号：13744748
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体加工技术领域，尤其是涉及一种砷化镓半导体基片湿法刻蚀工艺。
背景技术
半导体包括III-V族砷化镓基片在完成前段器件工艺加工后，必须进行背面机械减薄及后续背面工艺加工以制成最终可用的半导体电子器件，而半导体基片背面机械减薄工艺带来的最大问题就是破坏了半导体表面层的晶体结构进而使基片产生了内应力。所以必须设计后续工艺来去除半导体基片机械减薄工艺所造成的受损晶体加工表面并释放所产生的应力，目前半导体工业中大规模使用的后续传统工艺方法是化学机械抛光。注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。