技术编号:13748942
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体硅太阳能电池化学腐蚀和清洗技术领域,尤其涉及一种精确配制和实时监控氧化物刻蚀缓冲液浓度的方法。
背景技术
在高效太阳能电池(如选择性发射极电池和黑硅电池等)制程中经常涉及到用氧化物刻蚀缓冲液来清洗硅片表面,氧化物刻蚀缓冲液主要成分为氟化氢铵(NH4HF2)、氟化铵(NH4F)和水。
在现有技术中常采用的方法是将中转槽中一定体积的高浓度氧化物刻蚀缓冲液手动添加到含一定体积的去离子水的清洗槽内搅拌,手动配比的不足之处是易出现误差,另外,搅拌完成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。