技术编号：13759352
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶圆级可靠性热载子的并行测试方法。
背景技术
在目前先进的深亚微米集成电路制造业中，半导体器件的可靠性愈来愈引起人们的重视。但是，传统的可靠性测试的周期相当长，人们正迫切地寻找新的快速器件可靠性测试方法。
在现有技术中，晶圆级热载子HCI(Hot Carrier Injection)效应测试是给单个器件施加HCI应力条件。测试的总时间是根据测试器件的个数，不同的HCI应力条件数量，以及不同HCI应力条件下实际应力施加...
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