技术编号：13761861
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及高端化合物半导体单片微波器件领域，尤其是指一种采用外延牺牲层工艺制作GaAs-HEMT器件T型栅的方法。
背景技术
随着科技的进步，在现代半导体器件制作过程中，器件尺寸越来越小，集成度越来越高。HEMT器件的工作频率增加时，对于HEMT器件的截止频率的要求也随之增加。
对于微波功率器件，器件的截止频率要求至少是器件工作频率的4倍以上。HEMT器件的截止频率是衡量晶体管高速性能的一个重要因子，其公式为： 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。