技术编号:13761971
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子制造技术领域,特别涉及一种氮化镓基发光二极管的外延片的制备方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode,发光二极管)具有体积小、寿命长、功耗低等优点,目前被广泛应用于汽车信号灯、交通信号灯、显示屏以及照明设备。
现有的LED主要包括衬底、缓冲层、三维成长层、u-GaN层、n型层、应力释放层、有源层和p型层。
在传统的外延片生长方法中,通常按生长的先后顺序控制生长温度逐层升高,这样的生长方式会使得外延片中应...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。