技术编号：13762395
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有不同深度沟槽的GaAs基激光器的制备方法，属于半导体的技术领域。
背景技术
半导体激光器自问世以来，作为一种新型的光源，由于其体积小、功率高、寿命长、使用方便等优点，在光存储、光通信以及国防、医疗等领域备受青睐。在半导体激光器的制备过程中，光刻工艺是利用光刻胶通过曝光、显影等，将掩膜版上的图形转移到外延片上面，使外延片上面具有想要制作的器件的光刻胶图形形貌，再通过化学或者物理方法，将图形结构转移到外延片上面。在实际的操作过程中由于外延片不同的位置有...
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