技术编号:13765682
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及防护膜组件框、防护膜组件及其制造方法、曝光原版及其制造方法、曝光装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
半导体器件(半导体装置)的高集成化和微细化逐年加速。
例如,现在,以受激准分子曝光形成线宽45nm左右的图案,但近年来,随着半导体器件的进一步微细化,要求线宽32nm以下的图案的形成。这样的微细加工是以往的受激准分子曝光难以应对的。因此,研究了将曝光光替换成更短波长的EUV(Extreme Ultra Violet:极端紫外)光。
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