技术编号：13765683
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种用于EUV光刻的防护薄膜组件(pellicle)，更具体地，涉及具有提高的强度而不具有单独的支撑结构的用于EUV光刻的防护薄膜组件以及具有提高的EUV透射率和强度的用于EUV光刻的防护薄膜组件。
背景技术
极紫外线(EUV)光刻技术是一种使用13.5nm波长的光源的图案形成技术，与使用来自ArF光源的193nm的光的常规光刻技术相比，13.5nm的波长是非常短的。
其被认为是用于制造具有22nm或更小的图案线宽的半导体器件的核心技术。注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。