技术编号:13765893
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于一种贴合式SOI晶圆的制造方法。
背景技术
作为对应高频率(Radio Frequency,RF)装置的SOI晶圆,一直是以将基底晶圆予以高电阻率以解决。但是,为对应进一步的高速化,而逐渐有对应更高的频率的必要,仅使用已知的高电阻晶圆已经逐渐无法解决。
在此,作为对应策提出有于SOI晶圆的埋入氧化膜层(BOX层)正下方,加入具有使产生的载子消灭的层(载体捕陷层),逐渐有必要将用以使高电阻晶圆中所产生的载子再结合的多晶硅层形成于基底晶圆上。注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。