技术编号:13765907
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及半导体器件,并且更具体地涉及在半导体器件中的埋层。
背景技术
示例半导体器件包含在p型衬底中的n型埋层。埋层偏置为80伏特以上的高电压,以为埋层上方的衬底中的部件提供高电压下的隔离操作。在埋层的底表面处,pn结显示出不期望的漏电流和低击穿。
发明内容
在所述示例中,半导体器件具有在p型第一外延层上方和p型第二外延层下方的n型埋层。埋层是通过以高剂量和低能量将重n型掺杂剂(锑和/或砷)注入到p型第一外延层中,并且以低剂量和高能量注...
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