技术编号：13767891
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体制作领域，具体而言，涉及一种硅衬底、其制作方法及包括其的IPD器件。
背景技术
在IPD(IntegratedPassiveDevice)无源器件制造中，通常需要在硅衬底上形成功能区，如电容、电感、电阻等。出于对其特殊性能的考虑，所以IPD无源器件对衬底的要求也较高。通常要求硅衬底的电阻率大于2KΩ\/cm-1<\/sup>，同时，要求硅衬底具有稳定的电阻率。
以P型硅衬底为例，P型硅衬底是需要在硅衬底中掺入一定量的硼等P型元素...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。