技术编号:13768094
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造工艺,具体而言涉及一种半导体器件及其制造方法、电子装置。
背景技术
随着半导体器件特征尺寸的不断缩减,接触孔的深宽比不断增大,当接触孔的深宽比接近半导体制造工艺的边际时,通过沉积填充于接触孔的钨的下部将会突入形成于半导体衬底的源\/漏区顶部的自对准硅化物中。如图1所示,在半导体衬底100上形成有栅极结构,作为示例,栅极结构包括自下而上层叠的栅极介电层101、栅极材料层102和栅极硬掩蔽层103;栅极结构的两侧形成有侧壁结构104;侧壁结构104外...
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