技术编号:13768096
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种鳍片结构,且特别是涉及具有替代通道材料的电性绝缘鳍片结构及其制法。
背景技术
诸如积体电路的类的半导体结构由半导体衬底形成,该半导体衬底内部及表面可形成电路元件(例如,包含场效应晶体管(FET)的电晶体)。现有将场效应晶体管制作成为平面电路元件。
在先进的互补金属氧化物半导体(CMOS)技术中,由于它们改善短通道效应免疫力以及有较高的开关电流比(Ion\/Ioff),所以鳍片场效应晶体管(FinFET)装置目前被开发成可取代现有平面电晶体,...
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