技术编号：13770320

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本发明属于微电子和电力电子的碳化硅功率器件领域，特别涉及一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法。

背景技术

宽禁带半导体碳化硅因其禁带宽度大、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速度以及强抗辐射性，使得碳化硅功率半导体器件能够应用于高温、高压、高频以及强辐射的工作环境下。在功率电子领域，IGBT因其存在电导调制效应，导通电阻小，广泛应用与高压领域。

但是在IGBT中，栅氧直接暴露于漂移区中，其栅氧拐角处电场集中。SiC的介电常数是SiO注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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