技术编号:13770336
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置,例如能够适当地用于形成于SOI(SilicononInsulator,绝缘体上硅结构)基板并且具备电感器的半导体装置。
背景技术
在日本特开2013-110351号公报(专利文献1)中记载了在位于电感器的下方的元件分离膜设置开口并在该开口内残留半导体基板、同时抑制在位于电感器的下方的半导体基板产生涡电流的技术。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2013-110351号公报
发明内容
在半导体装置...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。