技术编号：13803698
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及半导体制造的技术领域，特别涉及一种光刻工艺。
背景技术
于集成电路(IC)制备时，图案化的光致抗蚀剂层用于将具有小特征尺寸的经设计图案由光掩模转移至晶片。该光致抗蚀剂为光敏感性，且可借由光刻(photolithography)工艺图案化。又，该光致抗蚀剂层可以抵挡蚀刻或离子注入，所以进一步需要足够的厚度。于光刻图案化工艺期间，该光致抗蚀剂经过曝光及显影以形成图案化光致抗蚀剂层。为了降低特征尺寸(feature size)并增加图案密度，于先进工艺节点...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。