技术编号:13806695
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种利用离子注入增大阶梯区域接触窗口的方法,涉及3D NAND存储器制造技术领域。
背景技术
由于3D NAND的触点结构需要穿透多层薄膜并停在不同界面,实际刻蚀的过程中由于字线的均匀性,导致不同深度的触点需要拆分开来加工(如图2所示)。如图1所示,3D NAND阶梯区域的字线厚度是均匀的,这样用同一张掩模来做触点,刻蚀开不同高度,就容易导致吃穿(右上画圈部分)。针对未来发展要求字线厚度越来越小的情况下,用一张掩模来达到多层触点的定义,预计会更加困难。注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。