技术编号:13806768
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及到一种终端沟槽肖特基器件。
背景技术
功率半导体器件被大量应用于电源管理上,特别涉及到肖特基结的半导体器件已成为器件发展的重要趋势,肖特基器件具有正向开启电压低开启关断速度快等优点。
肖特基二极管可以通过多种不同的布局技术制造,包括通过设置MOS结构或者嵌入P型半导体材料,用于提高器件的导电或反向阻断性能,上述方法会随着器件掺杂浓度升高,对电参数的改善而逐渐降低,因此对于低压小面积肖特基器件,最大限度的增加导通面积具有现实的意义。
...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。