技术编号:13806794
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其是一种具有电流阻挡层的LED外延结构的制作方法。
背景技术
Mg是P型掺杂的重要元素,由于Mg的钝化效应,用MOCVD技术生长P型GaN时,受主Mg原子在生长过程中易被H原子严重钝化,从而导致未经处理的P型GaN与Mg之间的电阻率异常升高,甚至可能达到十欧米,所以必须在生长后对Mg进行激活,才能得到可应用于器件的P型GaN。现有技术提高Mg原子在GaN中的激活效率的方法是:高温生长P型GaN,然后在N2气氛下退火,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。