技术编号:13812650
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氮化铝PVT(物理气相传输)晶体生长技术,特别是涉及一种添加辅助气氛的氮化铝PVT生长方法。
背景技术
氮化铝作为直接带隙半导体材料,具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强(11.7×106<\/sup>V•cm-1<\/sup>)、极高的热导率(实测值2.85W•cm-1<\/sup>•K-1<\/sup>)、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好的光学性质和力学性质,适宜作为射频(微波功率)器件、大功率器件以及...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。