技术编号:13865000
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种自对准三重图形的形成方法。背景技术随着半导体技术的不断进步,半导体器件的工艺节点正不断减小。然而,由于受到现有的光刻工艺精度的限制,以现有的光刻工艺形成的掩膜图形难以满足半导体器件持续减小特征尺寸的需求,遏制了半导体技术的发展。为了在现有的光刻工艺的基础上,能够进一步缩小半导体器件的尺寸,现有技术提出了一种双重图形化工艺。其中,一种自对准双重图形化(Self-Aligned Double Patterning,SADP)工艺因其工艺简单而被广泛应用。图1...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。