技术编号:13865150
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及信息技术领域,并且更具体地,涉及存储数据的方法、内存控制器和中央处理器。背景技术相变内存(Phase change Memory,PCM)作为新一代的非易失固态存储(Non-Violate Memory,NVM)介质,具有读写时延短,寿命长的特点。然而,PCM写时延远大于读时延,并且PCM在写0和写1时的时延具有不对称性,即写0(或者说reset)时延很低,写1(或者说set)时延很大,两者相差十几倍以上,而读时延则最低。对于PCM,现有技术不区分写0和写1,由于写1时延的限制,导致P...
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