技术编号:13865435
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二硫化钨纳米材料的合成技术领域,具体涉及一种2H相单层二硫化钨纳米片的制备方法。背景技术二硫化钨与二硫化钼结构相同,都是典型三明治层状结构,由于其层间相对较弱的范德华力,也可以剥离成单层或少层数的纳米片,被认为是另外一种相当重要的二维纳米片材料,具有独特的物理、化学和电学特性。二硫化钨与二硫化钼相同,都存在三种相态,即1T、2H和3R相,其中,1T相是WS2以一个S-W-S单分子层作为最小重复单元堆叠,而2H和3R相是以两个和三个S-W-S单分子层作为最小重复单元堆叠。自然界中大部分W...
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