技术编号:13865507
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,尤其是一种硅单晶棒回收装置及方法、液氮供应装置。背景技术半导体硅单晶体的大部分用切克劳斯基(Czochralski)法制造。在这种方法中,多晶硅被装进石英锅中,加热熔化,然后,将熔硅略做降温,给予一定的过冷度,把一支特定晶向的硅单晶体(称作籽晶)与熔体硅接触,通过调整熔体的温度和籽晶向上提升速度,使籽晶长大至目标直径时,提高提升速度,使单晶体近恒直径生长。在生长过程的尾期,此时锅内的硅熔体尚未完全消失,通过增加晶体的提升速度和调整向锅的供热量将晶体直径见见减小而形成一个尾...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。