技术编号:13879876
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体材料制备技术领域,特别是涉及一种Y-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法。背景技术存储器是目前半导体市场的重要组成部分,是信息技术的基石,无论在生活中还是在国民经济中发挥着重要的作用。目前,存储器的存储产品主要有:闪存,磁盘、动态存储器,静态存储器等其他非易失性技术:铁电体RAM、磁性RAM、碳纳米管RAM、电阻式RAM、铜RAM(CopperBridge)、全息存储、单电子存储、分子存储、聚合物存储、赛道存储(RacetrackMemory)、探测存储(ProbeMe...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。