技术编号：13903549
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及微机电技术领域，特别涉及一种背面深反应离子蚀刻的方法。背景技术目前概括来说可以通过三种手段实现MEMS(Micro-Electro-Mechanical System，微机电系统)中的悬浮结构。第一种：图1为粘合技术实现示意图，如图所示，先进行第一步处理：晶片粘合获得(a)中示意的结构；然后进行第二步处理：定义微机电系统元件获得(b)中示意的结构。粘合技术是通过晶片之间的粘合技术来实现。通过这种技术所实现的微机电悬浮结构往往受制于尺寸(一般结构长、宽小于400微米)和薄膜厚度(一般大于...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。