技术编号:13907579
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路技术领域,特别涉及一种基于Ge/Si虚衬底的GeSn光电探测器及其制备方法。背景技术GeSn材料是近年兴起的新型半导体材料,GeSn易发射和吸收电子,还具有较高的载流子迁移率等优良的电学特性,这些特性使GeSn材料在硅基光电子器件如发光器件、光电探测器、光调制器以及高迁移率场效应晶体管等方面得到了广泛的研究与应用。此外,GeSn材料具有与成熟硅微电子工艺的兼容性。GeSn材料近来引起广泛关注,主要是因为其工作范围可以覆盖近红外和短波红外(NIR,SWIR)波长。特别是对GeSn...
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