技术编号:13907581
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及太阳能级半导体单晶硅片加工领域,尤其涉及一种太阳能级多晶硅片表面处理方法。背景技术在太阳能级半导体单晶硅片加工过程中,经线锯开方生成的多晶硅片由于表面粗糙,且线痕严重,不能直接对其进行切片。在对多晶硅片进行切片之前,需要先对多晶硅片表面的线痕进行处理,现有专利201110121543.5,公开了一种太阳能级多晶硅片表面处理方法,使用金钢石磨轮对多晶硅片表面进行物理法机械研磨处理,以除去多晶硅片表面的线痕。然而在处理多晶硅片表面线痕时会在多晶硅片表面形成新的损伤层,容易导致切片后单晶硅片...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。