技术编号：13908465
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及晶体管的热可靠性测试方法，可用于对器件的可靠性分析，对器件的材料、结构以及工艺设计提供参考。技术背景作为新型半导体材料的杰出代表，氮化镓GaN以其突出的特性在微波大功率以及高温应用领域中逐步显现出优势。而AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管HEMT器件以其诸多优异特性取代了砷化镓GaAs基高电子迁移率晶体管HEMT成为微波功率器件的首选，并且在近年来也取得了实质性的进展。然而，显著的自热效应使得热可靠性问题仍然是制约其发展的一个重要因素。器件结温以及热阻是衡...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。