技术编号:13941333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本公开总体上涉及三维存储器装置的领域,并且特别地涉及包含多级存储器阵列的垂直堆叠体的三维存储器装置及其制造方法。背景技术T.Endoh等人发表于IEDM Proc.(2001)33-36的题为“Novel Ultra High Density Memory With A Stacked-Surrounding Gate Transistor(S-SGT)Structured Cell”的文章中公开了具有每单元一位(bit)的三维垂直NAND串。发明内容根据本公开的方面,单片三维存储器装置包括下部...
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