技术编号：1396001
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路制造工艺，特别是关于。背景技术 半导体制造中，光刻工艺的重要性无庸质疑，依靠光刻胶的感光、显影，掩膜版上的图形被准确的传递到硅片表面的光刻胶中，随后的刻蚀、注入则是将硅片表面的光刻胶图形传递到硅片内，从而实现芯片预定的功能。但是，众所周知，光刻胶是有机感光高分子化合物，当满足工艺需求后，为避免有机物的污染以及防止其对后道工序的负面影响，光刻胶必须被完全移除。由此产生了对半导体光刻去胶工艺的需求。半导体生产的去胶工艺一直徘徊在湿法和干法去胶...
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