技术编号：13969169
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于光电子学领域，具体涉及一种NEA-GaAs纳米锥阵列光电阴极及制备方法。背景技术光电阴极是一种利用外光电效应将光信号转变为电信号的光电发射材料。GaAs作为直接带隙半导体材料，与太阳光谱匹配度好，是一种理想的光电阴极材料。负电子亲和势，即阴极表面真空能级低于导带底能级，使得光激发电子的逸出几率大大增加，因此具有量子效率高、暗电流小、发射电子能量分布集中等独特优点。一般的GaAs光电阴极均采用薄膜材料制成，薄膜材料具有生长工艺成熟，成膜质量好等优点，但薄膜材料的发射率大，不能充分吸收入射...
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