技术编号:13983686
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的实施方式涉及存储装置和存储系统(memory system)。背景技术MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory:磁阻随机存取存储器)是在存储信息的存储单元中使用了具有磁阻效应(Magnetoresistive effect)的磁元件的存储设备。MRAM作为以高速工作、大容量、非易失性为特征的下一代存储设备引人注目。另外,MRAM作为DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)或SRAM(Static ...
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