技术编号:13984175
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件驱动电路领域,具体为一种数控有源的IGBT驱动电路。背景技术IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor或称绝缘栅双极型晶体管)具有驱动功率小、饱和压低、开关速度快等优点,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、风能发电、光伏发电、新能源汽车等领域。目前,普遍使用的IGBT驱动设备中的有源钳位技术不能满足使用需要,在应用方面存在以下不足:1、在IGBT的关断过程中,由于母排杂感、母线电压波动...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。