技术编号:13985321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化工技术领域,特别涉及一种用于多晶硅的坩埚的制备方法及坩埚。背景技术近年来随着不可再生能源的日益枯竭,太阳能电池得到了快速的发展。由于铸造多晶硅的制备工艺相对简单,成本远低于单晶硅,多晶硅逐步取代直拉单晶硅在太阳能电池材料市场的主导地位,成为行业内最主要的光伏材料。铸造多晶硅片需要用到一种重要的设备—坩埚,但是由于坩埚使用的二氧化硅纯度远低于硅料纯度,在铸造多晶硅锭时,坩埚中的杂质会向硅锭中扩散,污染硅锭,导致大锭侧部和底部出现低效区,进而影响所铸造出的硅锭的品质。发明内容针对现有技术...
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