技术编号：1399437
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及不含氟化物的超临界流体(SCF)基组合物，其在半导体 制造中用于从具有光致抗蚀剂的基片去除此类光致抗蚀剂，包括离子 注入光致抗蚀剂，并涉及采用该组合物从半导体基片去除离子注入光 致抗蚀剂的方法。相关技术描述随着半导体器件越来越集成化和小型化，离子注入已被更加广泛地采用，用来精确控制半导体基片中的杂质分布。在该处理过程中， 通常将图案化的光致抗蚀剂用于离子的选择性注入。光致抗蚀剂层包括聚合材料或树脂和作为光敏化合物的敏化剂。采用掩膜将光致抗蚀剂层部...
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