技术编号:14004791
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体制程技术领域,具体的涉及一种隔离沟槽的填充设备,还涉及一种隔离沟槽的填充结构。背景技术随着IC器件的高密度化和微细化,半导体器件有源区之间均采用浅沟槽隔离(shallow trench isolation,STI)结构进行隔离和绝缘。STI隔离结构的形成首先在衬底表面形成衬垫氧化层(pad oxide)和氮化硅层,然后刻蚀氮硅、衬垫氧化层和衬底形成沟槽;接着在沟槽侧壁和底部形成衬垫氧化层,再利用化学气相淀积(CVD)在浅沟槽中填入绝缘介质,例如氧化硅,达到隔离的目的,可以减少...
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