技术编号:14009612
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种绝缘衬底上的硅(SOI)工艺的静电保护结构。背景技术静电保护结构通常采用可控硅整流器即硅控整流器(SCR)实现,一般常见的SCR器件都形成于体硅衬底上,本领域技术人员都知道,体硅衬底表示整块衬底都是由硅组成,在体硅衬底中没有埋氧化层,也即器件的底部没有氧化层来隔离。现有的SCR为纵向结构,仅能适用于体硅衬底结构中。而现有技术中,往往需要采用到SOI衬底,SOI为Silicon-On-Insulator的简称,Silicon表示顶层硅;Insulator...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。