技术编号：14010265
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率开关管领域，尤其涉及一种功率开关管驱动电路。背景技术开关管(MOS管或IGBT)在电力电子产品中大量使用，其驱动电路的好坏直接影响着开关管的可靠性及产品性能。开关管驱动走线较长，容易引发开关管的GS电压尖峰过高问题，现在一般通过走线优化或增加吸收电容来解决此问题。然而，增加吸收电容会导致开关管损耗加大，加剧发热，降低了整体系统的效率。而优化PCB驱动走线，没有规律可循，可靠性不高。另外，在多管并联的运用场合下，受器件放置位置的限制，有的管子走线必然会很长，不但容易引发开关管GS电压...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。